掩盖院系：信息科学技能学院
专业代码：080903
专业方向：01. 微纳电子器件及集成技能(ulsi)；02. 体系集成芯片(soc)方案及方案办法学；03. 微电子机械体系(mems)；04. 宽禁带半导体器件及集成
技能
招生人数：全日制方案招生18人，拟接收推免11人
【考试类别】：
考试类别：① 101 思维政打点论② 201 英语（一）③ 301 数学（一）④ 824 半导体物理
【考研真题】
?824 半导体物理
一、名词说明
受主、雪崩击穿、异质结、费米钉扎(还有两个记不清了，历年真题中可以找到)
二、半导体a、b的电导率-温度曲线如下
1.阐明a、b半导体的类型，并阐明缘由
2.a、b别离发生如下曲线的机制是啥
三、题干给出了两种材料(n型eg较窄，p型eg较宽)的能带图，画出这两种材料构成异质结后在如下景象的能带图
1.无外加偏压
2.施加反向偏压va
四、p-mos管(n型衬底)中，wm<ws，sio2层厚度及介电常数已知，< p>
sio2层中存在以密度为常数ρ的电荷分布

1.写出平带电压表达式
2.画出平带时的能带图
五、pn结p型区及n型区均均匀掺杂，浓度为na，nd
1.算出施加正向偏压va时p区鸿沟少子浓度
2.画出正偏时i-v曲线
3. na，nd很小时，i-v曲线与抱负曲线有啥差异
六、一起在si中掺入na，nd，na>nd
1.写出电荷守恒表达式
2.写出低温区ef与t的联络
3.暗示在能带图中画出ef随t的改变曲线?
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